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Niveau seconde
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transistor

Posté par farah123 (invité) 04-06-06 à 15:09

* G est un generateur,sa force eletromotrice E=4.5V
  et sa résitane interne r=0
* S est une sonnete
* résistance à(C.T.N),  sa résistance r est entre
100ohm =< r =< 10 kilo ohm
quand la température est entre  20°C =< T =<100°C
*D1 est un onduteur ohmique ,sa résistance est
R1=2000 ohm
*le transistaor (N.P.N) a un coéficient de amplification B=200 et fonctionne dans le systeme linéaire , et la jonction (BE) se comporte comme un diode à jonction sa tension de seauil est Us=0.7V
1/ quelles sont les trois systeme de fonction d'un transistor?
2/trouve l'expresion de Ib par E , R ,R1 et Us!
3/compte l'intensité du courant électrique passant dans la sonnete relativement à chaque de ces  deux
degrés de tampérature ,T=20°C et T=100°C,
quelle ta conclusion pour se qui conserne le systeme ou se fonctionne la sonnete ?

transistor

Posté par Joelz (invité)re : transistor 04-06-06 à 18:08

Bonjour  farah123

C'est bizarre que tu vois les transistors bipolaires en seconde....
Tu es sur que tu es en seconde?

Posté par Joelz (invité)re : transistor 04-06-06 à 18:12

Pour résumé les fonctionnement dun transistor, voici un tableau récapitulatif:
VEB    VCB    Fconctionnement
------------------------------------------------------
>0       >0       2 jonctions bloquées
-------------------------------------------------------
<0       >0       effet transistor
------------------------------------------------------
>0       <0       effet transistor inverse
------------------------------------------------------
<0       <0       2 jonctions passantes, transistor saturé

Sauf erreur

Posté par Joelz (invité)re : transistor 04-06-06 à 18:13

Le tableau du post precedent est valable pour un transistor NPN

Posté par Joelz (invité)re : transistor 04-06-06 à 18:14

Par contre sur ton dessin je ne vois pas où est la masse? Au niveau de E ?

Posté par Joelz (invité)re : transistor 04-06-06 à 18:16

Pour avoir Ib en fonction des autres données, il faut utiliser une loi des mailles et la relation :
3$I_c=\beta I_b.

Posté par farah123 (invité)re : transistor 04-06-06 à 18:33

au début merci pour vos réponse
mais je te jure que je suis en seconde
c'est possible que le maroc n'a pas le meme systeme scolaire que la france

Posté par Joelz (invité)re : transistor 04-06-06 à 18:34

Ah oui dans ce cas c'est possible parce que je ne connais pas le programme au Maroc .
Mais ne t'inquiète pas , je trouvais ça bizarre qu'on fasse ça en seconde

Posté par farah123 (invité)re : transistor 04-06-06 à 18:37

"Par contre sur ton dessin je ne vois pas où est la masse? Au niveau de E ?"
j'ai pas vraiment compris ça
est ce que vous m'avez demandée si c'est un transistor NPN? si oui ,ça parait bien dans le dessin : il ne faut que remarquer la direction de la fleche dans le transistor
sinon j'aime bien savoir quelle est votre question
merci

Posté par Joelz (invité)re : transistor 04-06-06 à 18:39

Oui j'avais compris que c'était un NPN (qu'on peut effectivement reconnaitre avec la fleche) .
Ma question c'était où se trouvait la masse du circuit. Il doit bien y avoir une masse non?

Posté par Joelz (invité)re : transistor 04-06-06 à 18:41

Enfin le point E est relié au générateur G c'est ça? Et donc dans ce cas, il y aurait une tension de -4.5V qui va vers E.

Posté par Joelz (invité)re : transistor 04-06-06 à 18:44

Mais bon ce n'est pas grave.
Pour la loi des mailles , (si j'ai bien compris le schema), on a:

3$E=V_{BE}+I_b(R_1+r)

d'où 3$I_b=\frac{E-V_{BE}}{R_1+r}

Posté par farah123 (invité)re : transistor 04-06-06 à 20:27

mmmmm
ben voilà ce que 'jai proposé comme une réponse pour la question 2/
-* on a:        U(G)= U(AB)+U(BE)
   et on a aussi le transistor fonctionne dans le systeme linéaire
* supposons que la jonction (BE) se comporte comme un diode à jonction
  idéalisé
  donc on a:                     U(BE)=Us
  et ainsi on a:                 U(G)=R1*Ib+R*Ib+Us
     puisque r(la résistance interne)=0
         donc:                 E=(R1+R)Ib+Us
  et ainsi on a :              Ib=(E-Us)/(R1+R)
* mais le probleme se pose c'est quand la jonction (BE) se comporte comme
  un diode à jonction non idéalisé car on a (à ce cas là)
                               U(BE)>=Us
  donc on a                      Ib>=(E-Us)/(R1+R)
-* et ainsi je ne sais commentrépondre à la question3/
SVP proposez moi une réponse
merci d'avance                      

Posté par Joelz (invité)re : transistor 04-06-06 à 23:57

Je n'ai pas trop compris comment on avait la valeur de r avec la temperature. Je crois que la valeur de r est d'autanplus grande que la température est élevée.
On a donc a 20°C, r=100ohm et à 10°C, r=10 kilo ohm
donc lorsque la temperature est grande, r est grand et ib est petit donc de meme pour Ic.
Lorsque la temperature est petite, r est petit et Ib est grand donc Ic est grand aussi.

Ic étant le courant qui circule dans la sonnette, je te laisse conclure.

Sauf erreur

Joelz

Posté par farah123 (invité)re : transistor 05-06-06 à 00:55

selon ce que vous avez dit : quand la température de (C.T.N) s'augmente la resistance de (CTN)s'augmente aussi
donc on doit avoir :à 20°C r=10kilo-ohm=10000ohm et à 10°C r=100ohm
mais non ,le prof nous a dit :
"quand la température de (CTN)s'augmente ,sa résistance se diminue."
et à ce cas là en peut dire ce que vous avez dit à 20°C, r=100ohm et à 10°C, r=10 kilo ohm

(en tout cas ça reste ce que j'ai compris et c'est possible que c'est faux)

bonne nuit[i][/i]

Posté par farah123 (invité)re : transistor 05-06-06 à 01:01

mmm

Posté par farah123 (invité)re : transistor 05-06-06 à 01:01

donc....?

Posté par Joelz (invité)re : transistor 05-06-06 à 10:20

Oui tu as raison c'est l'inverse
Lorsque la temperature augmente r diminue et donc Ib augmente. Et donc Ic augmente aussi.
Ic est le courant qui passe dans la sonnette .
Par contre je ne sais pas comment fonctionne la sonnette. Je crois qu'avec Ic , on peut avoir son fonctionnement.

Posté par Joelz (invité)re : transistor 05-06-06 à 10:28

Mais à mon avis, la sonnette doit sonner de plus en plus fort si le courant qui la traverse est de plus en plus grand.
On aurait donc une sonnette qui sonne plus fort si la température augmente.

Sauf erreur

Posté par farah123 (invité)re : transistor 05-06-06 à 12:44

oui vous avez raison
et plus exactement comment sera la résolution d'exercice 3/ en cas où la jonction (BE) se comporte comme
  un diode à jonction non idéalisé et par conséquant on a:
   Ib>=(E-Us)/(R1+R)
c'est ce que je n'arrive pas à résourdre
mais merci en tout cas pour tes réponses enrichissantes  



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