Bonjour,

Dans un exo, on définit une structure MOS constituée d'un métal (Aluminium), d'un isolant (SiO2) et d'un semi conducteur de type P (Silicium). Le travail de sortie de l'aluminium est et celui du Si . On précise d'autre part que l'isolant est supposé parfait (pas de charges à l'interface, ni dans l'oxyde).

On me demande de déterminer l'expression de et d'en déduire la concentrations d'accepteurs du semi conducteur de la structure.

Déjà, je crois savoir que dans le cas idéal, ce qui est le cas ici, on a . Concernant l'expression de , je ne sais pas quelle expression est attendue (celle en fonction des différents niveaux des bandes d'énergie?), celle qui permet de remonter à la concentration d'accepteurs...

En espérant que vous pourrez m'aider, merci d'avance.