Bonjour,
j'aimerais comprendre la question en gras:
Is désignant le courant inverse de saturation global de la diode et Va la tension
directe de polarisation, établir l'expression de log ( I) en fonction de Is et Va . Après
avoir identifiés In et I p, déduire de la figure1 les courants inverses de saturation Isn et
Isp relatifs aux électrons dans la région P et aux trous dans la région N respectivement.
Concernant l'expression de log (I) je procède de la manière suivante:
j'en deduit alors: l'expression de log (I)
Comment identifier le In et Ip?
Comment déduire les courants Isn et Isp de la caractéristique Va(I)?
Cordialement,
Vladimir.
Bonjour, je rajoute l'énoncé pour éclaircir ma question:
" Etude d'une diode N+P sous polarisation directe.
I : Cas d'une d'une au Silicium :
L'unité de longueur adoptée est le cm.
Une jonction N+P présente les caractéristiques suivantes : Aire : A = 6.10-8 cm2
Région N : profondeur : W N = 3.10 - 6 cm
Constante de diffusion des porteurs minoritaires : D p = 3 cm2 /s
Région P : Profondeur : WP = 3.10 - 6 cm
Constante de diffusion des porteurs minoritaires : D n = 10 cm2 /s
Autres données : q = 1,610-19 C, U T = kT/q = 26mV
Concentration intrinsèque du Si à 300K : n i = 10 10 cm -3 "
Cordialement.
Bonjour,
pourrait quelqu'un apporter une réponse s'il vous plaît?
pourquoi par exemple la courbe de gauche saurait celle des courants p et la courbe de droite celle des courants n ou l'inverse.
Merci d'avance.
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