Inscription / Connexion Nouveau Sujet
montage amplificateur
Bonjour,
Aidez-moi je vous en prie avec ce circuit
1)Etablir le circuit équivalent en continu et alternatif
2)Tracer les droites de charges statiques et dynamique
et placer le point de repos Q de l'amplificateur
3)En travaillant dans le domaine des petits signaux l,le modèle hybride du transistor est caracterisé par la matrice [H]telle que:
h11=3kohms,h22=0;h21=120;h22=8.5m10^(-6)ohm^(-1)
Calculer les gains en courant Ai et Au de l'amplificateur
Pour 1)est-ce que r fait partie du circuit extérieur?
2)J'ai trouvé I_C=(E-U_CE)/(RE+RC) pour la droite de charge statique
Je vous remercie
Bonjour
Le circuit d'alimentation en alternatif (partie du montage à gauche du condensateur CB) peut facilement être remplacé par son générateur de Thévenin équivalent. Tu obtiens alors un classique montage "émetteur commun" étudié en détail au paragraphe 2 de ce document :
Merci pour le lien très utile
Mais je n'arrive toujours pas à trouver l'équation de
Je me perds perds un peu avec les notations de mon cours..je trouve
Pour le gain en tension j'ai et
Cordialement
Pour 1)est-ce que r fait partie du circuit extérieur?
Je pense qu'il faut considérer le circuit d'alimentation en "petits signaux" comme constitué du générateur linéaire de tension alternative (f.é.m. eg, résistance interne Rg) et du diviseur de tension constitué de R et r. Comme déjà indiqué, on peut remplacer cet ensemble par un générateur de tension de Thévenin mais cela ne semble pas demandé. La résistance r n'appartient donc pas à l'amplificateur. Selon moi, les grandeurs d'entrée de l'ampli sont Ue et i'e (ve et ig sur la figure 16 du document internet).
La résistance de charge est notée Ru sur le document internet et RL sur ton schéma. Les autres notations sont identiques.
Le reste semble bien expliqué sur le document en particulier à partir du paragraphe 2.4.
Pour l'étude en petit signaux, il suffit d'étudier la figure 16.
Merci encore,mais pourquoi dans mon cours on a caractérisé la droite de charge dynamique par une grandeur somme:?
Cordialement
Bonjour,
Je vous en supplie pouvez-vous me corriger de cet exercice avec les données suivantes, j'ai vraiment des difficultés avec les notations de mon cours et puis on n'a pas fait cela en TD..:R=1kohms; R1=39kohms;R2=6,8kohms;Re=1.2kohms;Rc=4.7kohms;RL=4.7kohms;r=10ohms;UCE=6V;b=150;E=12V
J'ai trouvé Au=-4705.88;Ai=676.33
Merci infiniment
J'ai vraiment des lacunes avec la détermination du point de repos.. 
Je peux vous demander comment avez-vous retrouvé les coordonnées de Q?J'ai calculé Ic mais ça donne 0.021 A à l'entrée ...
Je l'ai fait par un calcul approché.
Après avoir vérifié que le courant à travers R1 et R2 > > Ib, on calcule la tension aux bornes de R2 en négligeant l'effet de Ib.
On en déduit la tension sur RE en soustrayant de la tension ci-dessus une tension de 0,7 V (correspondant à la chute de tension approximative dans la diode base émetteur du transistor).
On calcule ensuite IE par U(RE)/RE ... qui est aussi presque la valeur du courant IC
On calcule ensuite VCE'repos) par E - (RE + RC).IC
-----
On peut aussi le faire (bien que c'est illusoire sur la précision) par un calcul plus détaillé.
Le schéma équivalent en DC (courant continu) est :
I1 = (E-V1)/R1
I2 = V1/R2
IB = I1-I2
I1 = (12-V1)/39000
I2 = V1/6800
IB = (12-V1)/39000 - V1/6800
IB = 3,077.10^-4 - 1,727.10^-4.V1 (1)
VE = V1 - V(BE) = V1 - 0,7
IE = (V1 - 0,7)/RE = (V1 - 0,7)/1200
IE = (Beta+1).IB
(V1 - 0,7)/1200 = 151 * (3,077.10^-4 - 1,727.10^-4.V1)
--> V1 = 1,748 V
VE = V1-0,7 = 1,048 V
IE = VE/RE = 1,048/1200 = 0,873.10^-3 A
IC = IE * Beta/(Beta+1) = 0,873.10^-3 * 150/151 = 0,868.10^-3 A
VCE = E - Rc.IC - RE.IE
VCE = 12 - 4700*0,868.10^-3 - 1200*0,873.10^-3
VCE = 6,87 V
Donc point de repos pour : Ic = 0,87 mA et VCE = 6,87 V
Un poil différent de celui calculé rapidement par la méthode indiquée au début.
-----
Ce calcul (le complet) fait peut-être "savant" ... mais ce n'est pas vraiment utile car :
La valeur de 0,7 V prise pour VCE n'est qu'une valeur très approchée (on aurait tout aussi bien pu prendre 0,6 V par exemple) ...
et aussi parce que la valeur de Beta (ici 150) est une caractéristique variant avec la valeur de IC mais aussi avec la température et de plus qui a une énorme dispersion d'yn transistor à l'autre du même type.
Donc la précision qu'on pourrait espérer du calcul sophistiqué est tout à fait illusoire ... et le calcul simplifié se justifie pleinement. (en pratique, pas forcément dans la tête de l'un ou l'autre prof)
Sauf distraction. 
Je m'excuse vraiment pour les questions mais je ne comprends toujours pas dans quel cas on prend Ie=Ic+Ib et dans quel cas Ie~Ic?
Je pense que la pente de la droite de charge dynamique ici est négative,ou bien ai-je tort?
Merci encore pour le calcul et vraiment désolée pour les questions..
En prenant le transitor comme "noeud", on a : Ie = Ic + Ib
Si le transistor n'est pas en saturation : Ic = Beta * Ibase
et donc : Ie = Ic + Ic/Beta
Ie = Ic * (Beta + 1)/Beta
O, en général, on a Beta > > 1 et donc (Beta + 1)/Beta 1
Ce qui permet d'écrire : Ie Ic
-----
On ne peut pas utiliser Ie Ic dans les cas où on n'a pas : Beta > > 1
C'est à dire :
a) Pour certain gros transistors (non darlington) et sous certaines conditions d'utilisation ... on a parfois un Beta de l'ordre de 10 (voire moins).
b) Lorsque le transistor est saturé.
Sauf distraction.
Annuler
connectez vous