Bonjour,

Je suis penché sur la rédaction d'un compte-rendu portant sur les transistors à effet de champ (N-JFET) et je coince à un endroit.

Le fascicule de TP que l'on nous a fourni nous donne successivement 3 formules pour calculer le courant I_D :

1) I_D = I_DSS   (1+V_GS/V_p )²
(avec V_p la tension de pincement)

2) I_D = g_m V_GS
(avec g_m la transconductance)

3) I_D = g_m V_GS + V_DS/R_DS

L'enseignant nous a informés qu'au moins l'une d'entre elles était fausse (erreur de sa part), sans préciser laquelle ou lesquelles.


La question est de déterminer les résistances R_D et R_S pour chacun des deux schémas fournis en pièce jointe, connaissant leurs points de polarisation.

Je ne parviens pas à comprendre quelle formule utiliser pour déterminer I_D et s'il y a des conditions pour que l'une soit valide ou non.  Pour information, j'ai essayé de calculer ce courant en utilisant les formules 2) et 3), et le résultat obtenu est a priori aberrant (supérieur à I_DSS)

Sachant qu'on nous demande de vérifier V_GS = -2 V dans les deux cas, je me retrouve avec les deux mêmes courants I_D, ce qui me paraît surprenant. Quelle distinction faut-il faire et y a-t-il une formule à privilégier dans un cas plutôt qu'un autre ?

En vous souhaitant de bonnes fêtes et vous remerciant par avance,
Cordialament,