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Niveau école ingénieur
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Electron se déplaçant dans du silicium

Posté par
enkalus
08-05-16 à 18:09

Bonjour !

Voilà je dois évaluer le temps que met un electron pour parcourir 1micrometre dans du silicium pur sous un champ électrique de 100V/cm et on me donne aussi μ0=1300cm^2/Vs.
D'abord j'ai voulu utiliser le theorème de l'énergie cinétique en disant que Ec=Wp <=> 1/2*m*v^2=q*E j'isole v et je fais v=d/t car on me demande la vitesse moyenne et je suppose que v=cte.

On me propose : 0.76ns  
76ns
76ms
76ps

mais mon calcul me donne pas ça  

Avez vous une idée ?

Merci d'avance

Posté par
vanoise
re : Electron se déplaçant dans du silicium 08-05-16 à 18:25

Bonjour
Qu'appelles-tu µo ?
La force électrique q.E n'est pas la seule force appliquée à un électron en mouvement dans un conducteur.

Posté par
enkalus
re : Electron se déplaçant dans du silicium 08-05-16 à 20:05

Bonjour et merci de prendre le temps de me répondre !

μ0 c'est la Perméabilité du vide.

Je vois quel autre force il peut y'avoir car on néglige a priori la gravité et les frottements.

Posté par
vanoise
re : Electron se déplaçant dans du silicium 09-05-16 à 00:39

La perméabilité magnétique du vide est µo=4.10-7H/m. Je ne vois pas trop ce qu'elle vient faire ici.

Posté par
enkalus
re : Electron se déplaçant dans du silicium 09-05-16 à 09:51

Ah si c'est bon ! Je pensais que mu0 c'était la permeabilité du vide ! Alors du coup mu0*E=l/t=v => t=76ps.

Merci beaucoup !



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