Bonjour, je bloque complètement avec la première question de cet exercice :

Soit un semi-conducteur de dopage « pur» dopé avec des impuretés Nd en concentration Nd =  10^17 cm-3

Le niveau d'énergie de ces impuretés donneuses dans ce matériau est de Ed = 0,02 ev

1- Calculer l'énergie du gap de ce matériau 2- Donner le type de dopage de ce matériau

Quelques données en plus à la fin de l'énoncé :

On donne pour ce semi-conducteur à la température d'étude Nv 1,69 *10^20cm-3, Nc = 2,86*10^19 cm-3),

kT= 25 meV; Concentration intrinsèque ni = 1,3*10^10 cm-3

Merci d'avance de votre aide !