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Dopage pour optimisation des IPCE pour photoanodes

Posté par
romainchambard
30-05-14 à 12:43

Bonjour à tous .

Je fais actuelement des recherches sur un procédé industriel nommé ALD (atomic layer deposition ) ce procé dé permet entr autre de faire du dopage d'éléments d'oxydes et de sylicates dans le but d'ameliorer les IPCE (Incident-Photon-to-electron Conversion Efficiency)de photoanodes .je cherchais des infos sur le sujet et j'ai trouvé pleins de pages où il était question de N-doped anatase (l'anatase étant en fait de l'oxyde de titane (TiO2)). Je voudrais savoir comment interpreter le "N" , s'agit-t-il de dopage de type n (éléctron en surnombre ) ou alors de dopage avec un atome d'azote (N) ???

Merci de votre réponse.

Edit Coll : forum modifié ; initialement posté au niveau Supérieur-licence

Posté par
quarkplus
re : Dopage pour optimisation des IPCE pour photoanodes 30-05-14 à 14:11

Bonjour,
Cela tombe bien, c'est les 2!!!
Le dopage à l'Azote ( ions Azote ) donne des couches de type n .  

Posté par
romainchambard
re : Dopage pour optimisation des IPCE pour photoanodes 30-05-14 à 17:35

super ! Merci



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