Bonjour,
Je ne sais pas quelle version de Spice tu utilises mais en général, il est possible d'éditer les modèles des composants . Tu devrais trouver ainsi ce que tu cherches.

je travail avec la version PSPICE 16.6, bn j'ai editer le model utilisé mais je veux savoir comment on peut trouver gd j'un transistor MOS
par exemple on peut calculer la transconductance gm en uilisant la formule Cox*w/L*Iss²[/smb]
ce que je demande est ce qu'il existe une relation avec la quelle on peut calculer gd
j'ai demander Rd parce que Rd=1/gd

Voici ce que j'obtiens pour un modèle pris au hasard dans la liste fournie : IRF740 :

.subckt IRF740 D G S
.model mosfet NMOS( LEVEL=17 VTO=3.907 RS=0.03281 KP=9.087 RD=0.4191 TC1RD=0.0138 RG=5 IS=1e-36 LIMIT(VDS)=(*, 400)  CGDMAX=3.00E-09 CGDMIN=1.00E-11 XG2CGD=0.5 XG1CGD=0.1 CBD=1.69E-10 VTCGD=0.2)
.model diode D( IS=3.73e-11 RS=0.0204 TT=9.415e-07)
M1 D G S S mosfet
D1 S D Diode
Cgs G S 1.17E-09
.ends

Je ne sais pas si cela répond à ta question...

non ce n'est pas exactement ce que je cherche
je cherche comment on calcule gd d'un transistor apartir de ces parametre que vous avez présenté

Bonsoir,
voici un lien sur le sujet :

Rd : valeur expérimentale ou valeur "calculée" à partir de données expérimentales autres ?

je veux la valeur expérimentale a partir des donné des parametre de mosfet