Bonjour.
Je souhaiterais calculer la tension de seuil Vth de ma structure Métal-Oxyde-Semiconducteur. J'ai a ma disposition les données suivantes :
Semiconducteur = Silicium dopé n.
densité excédentaire de donneurs :
gap : Eg = 1.19 eV
permittivité du semiconducteur :
densité de porteurs intrinsèques a la température considérée :
affinité électronique :
épaisseur de l'isolant :
permittivité de l'isolant :
travail de sortie du métal :
Pouvez vous m'aider svp?
C'est vrai que le site n'est accessible en ADSL qu'après une attente assez longue. Le chargement du fichier est beaucoup plus rapide chez moi en passant par la 4G...
Bonjour à tous les deux,
ElecStudent, tu as omis de renseigner ton profil
je te remercie de le faire.
Personnellement, pour ce type de calculs, je préfère utiliser les unités du système international. Avec tes notations :
Cox=2o/d
que j'exprime en F/m2 mais je n'obtiens pas ton résultat, même en convertisant les F/m2 en F/cm2 que l'on pourrait noter F.cm-2, pas F/cm-2.
OK pour ta valeur de Cox.
Les charges qui interviennent dans ce problème sont des charges élémentaires : q=e.
Si q.f=0,3eV,
f=0,3V.
Je viens de feuilleter encore un peu le document, la relation I.2 donne la distance du niveau de fermi au niveau de fermi intrinsèque comme étant :
alors que moi j'ai l'opposé dans mon cours. Cela donnerait donc un
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