Bonjour à tous,

Je bute sur un exercice concernant la physique des semi-conducteurs:

On considère un barreau de germanium pur dont les propriétés essentielles sont les suivantes: masse molaire M=72,6g ; masse volumique ϱ=5,36 g/cm³ et hauteur de la bande interdite Eg=0,67 eV. Dans ce matériau, la mobilité des porteurs en fonction de la température est donnée par les expressions suivantes où To correspond à 300K:

- µn = µno((T/To)^(-5/3)) avec µno= 3,8 * 10³ cm²/V/s
- µp = µpo((T/To)^(-7/3)) avec µpo= 1,5 * 10³ cm²/V/s

1) Calculer le nombre d'atomes de germanium par cm³.

2) On donne ni(T)= A*T^(3/2)*exp(-Eg/2kT) où A est une constante qui dépend du matériau.
Pour le germanium A=1,44 * 10^15 (?)
a) Déterminer l'unité de la constante A.
b) Calculer la densité de la population des paires électrons trous créées par agitation thermique à la température To.

3) Quelle est alors, par unité de volume, la proportion d'atomes de germanium ionisés.

4) Calculer la résistivité du germanium pur à la température To.

Je n'arrive même pas à faire la première question. (j'en suis désolé mais ce n'est pas mon domaine de prédilection !)

Merci d'avance pour l'aide que pourrez m'apporter.